- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
104
Артикул:
181941 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек
- Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
- Электрооптические свойства несимметричных жидкокристаллических микролинз
- Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур
- Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия
- Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
- Радиационная деградация функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах ядерных излучений