- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
104
Артикул:
181941 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
- Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
- Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов
- Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (?=2-5 мкм)
- Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов
- Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
- Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2+S4 и ZnAl2+S4
- Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова