- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
104
Артикул:
181941 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
- Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
- Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
- Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
- Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
- Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
- Поляризационные оптические явления в полупроводниках со сложной структурой зон
- Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия