- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельных элементов
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7306 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Спетры колебаний решетки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов
- Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
- Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
- Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия
- Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами
- Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
- Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
- Электропроводность сенсорных слоев диоксида олова модифицированной толщины
- Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия
- Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния