Ви є тут

Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик

Автор: 

Гаргури Хамши

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

1984

Кількість сторінок: 

155

Артикул:

182149

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
• Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
• Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
• Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
• Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
• Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой
• Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии : 2D-дырки на поверхности монокристаллического теллура
• Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния
• Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
• Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком