- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
132
Артикул:
7215 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
- Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах
- Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (?=2-5 мкм)
- Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
- Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений
- Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
- Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов
- Квазиландауское магнитопоглощение \"ридберговских\" состояний экситона в полупроводниках
- Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния