- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
132
Артикул:
7215 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ
- Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
- Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур
- Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
- Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Резонансное одно- и двухфотонное взаимодействие света с экситонами в квантовых точках CdSe/ZnS
- Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
- Микроволновые исследования мягких мод в сегнетополупроводниках и сегнетоэлектриках
- Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой