- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
132
Артикул:
7215 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
- Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
- Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера
- Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ
- Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния
- Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
- Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Оптические свойства анизотропных кремниевых структур
- Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах