СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ЛАЗЕРНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СРЕДНЕГО ИКДИАПАЗОНА, ГЕТЕРОВАЛЕНТНЫЕ ИНТЕРФЕЙСЫ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ И КОНСТРУИРОВАНИЯ
1.1. Краткая характеристика узкозонных соединений А3В5 с
. параметром кристаллической решетки близким к 1пАз.
1.2. Лазерные гетероструктуры среднего ИКдиапазона на
основе антимонидов металлов Шгруппы.
1.3. Гетероэпитаксия соединений А2В6 на подложках А3В5 и
особенности формирования гетеровалентных интерфейсов
ГЛАВА 2. АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ МОЛЕКУЛЯРНОПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ И МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР
2.1. Основные принципы и аппаратное обеспечение
молекулярнопучковой эпитаксии.
2.2. Методы i i и x i диагностики.
ГЛАВА 3. СВОЙСТВА Iix ГЕТЕРОСТРУКТУР, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ 3.1. Свойства твердого раствора ix кубической
модификации.
3.2. Молекулярнопучковая эпитаксия твердого раствора
x.x на подложках 1пАз 1
3.3. Выращивание слоев МХМхБе методом эпитаксии с повышенной миграцией атомов на поверхности
3.4. Оптические, структурные и электрические свойства слабонапряженных гетероструктур x
ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА ГЕТЕРОВАЛЕНТНОГО ИНТЕРФЕЙСА 1пАэА2В
4.1. Формирование гетеровалеитиого интерфейса 1пАзА2В6 4.2. Гибридные гетероструктуры с гетеровалентным 1пАзА2В
интерфейсом.
4.3. Электронные свойства гетеровалентного интерфейса
1пАзА2В6.
ГЛАВА 5. ГИБРИДНЫЕ АЬСаихАЬьГпАзМСае ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ СРЕДНЕГО ИК ДИАПАЗОНА
5.1. Концепция лазерной гетероструктуры с асимметричными
барьерами.
5.2 Структурные и оптические свойства гибридных лазерных А1хСа.хА85Ь1.1пА8МхСх8е гетероструктур, выращенных
методом двухстадийной молекулярнопучковой эпитаксии
5.3. Исследование свойств спонташюго и лазерного излучения гибридных гетероструктур АиОаьхАзБЬьЫАзМСБс
лазерных диодов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
ВВЕДЕНИЕ
АКТУАЛЬНОСТЬ