- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7331 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
- Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур
- Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм