- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7331 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
- Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs
- Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
- Явления электронного переноса при низких температурах
- Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
- Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О
- Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
- Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3 B5 и A2 B6