- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
136
Артикул:
136560 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
- Влияние молекулярного окружения кремниевых нанокристаллов на их фотолюминесцентные свойства
- Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах
- Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
- Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах
- Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs