- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2005
Артикул:
325549 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
- Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
- Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах
- Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур
- Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x
- Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников
- Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур
- Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
- Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
- Частотные свойства магнитомягких ферритов с различной микроструктурой и формой