- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7423 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка
- ЭПР примесных центров и некоторые СВЧ характеристики слоистых кристаллов
- Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
- Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
- Оболочки с двумерным электронным газом и их магнитотранспортные свойства
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
- Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
- Минизонный электронный спектр и транспорт горячих электронов в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния
- Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
- Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников