- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7423 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS
- Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
- Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
- Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
- Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
- Явления переноса в полупроводниковых пленках
- Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов
- Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников