- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7423 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов
- Применение теории гармонических колебаний для описания релаксационной поляризации в высокоглиноземистых керамиках
- Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия
- Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
- Высокочастотная фотопроводимость примесного германия в инфакрасной области спектра
- Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых δ-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
- Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения
- Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами