- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7423 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование фотолюминесценции легированных композитных пленок PbSe и твердых растворов Pb1-xCdxSe
- Влияние разогрева электронно-дырочной плазмы на электрические свойства германия
- Исследование влияния структурного совершенства и физико-химических обработок поверхности кремния на характеристики силовых диодов
- Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках
- Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
- Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd)Se/(Zn, Mg)(S, Se) с массивами квантовых точек
- Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
- Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия