- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7423 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Динамика и устойчивость сильноточных инжекционных систем
- Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Спетры колебаний решетки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов
- Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах
- Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
- Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях