Ви є тут

Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров

Автор: 

Чалдышев Владимир Викторович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1999

Артикул:

1000220993

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
• Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
• Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксии
• Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ
• Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах карбид кремния на кремнии
• Спиновая динамика связанной электронно-ядерной системы в квантовых точках
• Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями
• Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур
• Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
• Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур