ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ЦЕНТРОВ ПЕРЕХОДНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ А2
1.1. Примеси переходных элементов в полупроводниках А
1.1.1. Состояния примесных центров в кристаллах. .
1.1.2. Оптические переходы
1.2. Модель электронной структуры примесных центров. Основные положения и параметры теории кристаллического поля
1.3. Электронфононное взаимодействие
1.3.1. Модель электронфононного взаимодействия.
1.3.2. Отсутствие электронного вырождения. Адиабатическое приближение.
1.3.3. Электронное вырождение. Эффект ЯнаТеллера.
1.4. Форма спектральных полос
1.4.1. Взаимодействие с адиабатическими колебаниями.
1.4.2. Взаимодействие с неадиабатическими колебаниями. ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА И АППАРАТУРА
2.1. Люминесцентный метод исследования.
2.2. Люминесценция и ионная имплантация. . .
2.3. Экспериментальная установка.
2.4. Приготовление образцов
2.5. Методические ограничения
ГЛАВА 3. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ,
ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В АРСЕНИД И ФОСФВД ГАЛЛИЯ
3.1. Элементы I переходного периода. .
3.1.1.Ванадий
Стр.
3.1.2. Титан
3.2. Элементы 2 и 3 переходник периодов
3.2.1. Ниобий, тантал.
3.2.2. Вольфрам.
3.3. Основные результаты
ГЛАВА 4. ПРИМЕСНОДЕФЕКТНЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА И СВОЙСТВА
кристаллов и , содержащих имплантированные
ПРИМЕСИ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
4.1. Изохронный отжиг. .
4.1.1. Арсенид галлия.
4.1.2. Фосфид галлия.
4.2. Влияние температуры подложки при имплантации. . .
4.2.1. Свойства , имплантированного при повышенных температурах
4.2.2. Свойства , имплантированного при повышенных температурах
4.2.3. Свойства и , имплантированных при пониженной температуре.
4.3. Дозовые зависимости
4.4. Послойное стравливание.
4.4.1 Арсенид галлия.
4.4.2. Фосфид галлия.
4.5. Положение атомов имплантированных примесей в кристаллах.
4.6. Измерения квантового выхода.
4.7. Основные результаты
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922