Оглавление
Введение.
Глава I. Современное состояние теории примесных центров с частично
заполненной 3оболочкой в полупроводниках аналитический аспект
Глава II. Общие принципы локального подхода к расчету электронной
структуры твердого тела.
2.1. Полная и локальная плотности состояний. Формализм локальных
функций Грина
2.2. Характеристика метода моментов в расчете локальных функций
Г рина.
2.3. Рекурсивное преобразование базиса и его особенности в
полупроводниках с тетраэдрическим связями
2.4. Представление локальной функции Грина в виде непрерывной
дроби. Одномерное моделирование трехмерных систем
2.5. Расчет собственных волновых функций в методе непрерывных
дробей.
Глава III. Иерархия моделей локальных примесных центров с различным
радиусом возмущения.
3.1. Примесный центр в однозонной модели полупроводника.
Квазиглубокие уровни и резонансы
3.2. Двухзонная модель идеального кристалла и ее особенности в
бинарных полупроводниках.
3.3. Локализованный примесный центр в двухзонной модели
полупроводника. Специфика уровней в запрещенной зоне.
3.4.римесновакансионная модель ЛПЦ. Обоснование
и модификация.
Глава IV. Специальные вопросы, связанные с расчетом электронной
структуры ЛПЦ
4.1. Современная трактовка метода ЛКАО и проблема
ортогональности базисных функций
4.2. Модель свободного атома иона на основе уравнения
ХартриФока. .Л
4.3. Параметризация основных внутриатомных взаимодействий
4.4. Процедура локального самосогласования.
4.5. Некоторые вопросы, связанные с полной электронной
энергией локализованного примесного центра
Глава V. Применение локального подхода к расчету электронной структуры
примесных центров с частично заполненными и оболочками.
5.1. Спинполяризованная структура основного состояния примесей
ПЭГЖ в арсениде и фосфиде галлия
5.2. Основное состояние и механизм возбуждения примесей РЗЭ
5.3. Комплекс ЕгОь в кремнии. Аналитический расчет сложного
примесного центра .
Заключение.
Приложение.
Библиография
- Київ+380960830922