Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
Положения, выносише на защиту.
ГЛАВА I. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СОЕДИНЕНИЯХ
1.1 Теория кристаллического поля
1.2 Эффект ЯнаТеллера в Е и Т состояниях II
1.3 Современные представления о природе возникновения глубоких центров в полупроводниковых соединениях типа А.
1.4 Экспериментальные исследования поведения примесей ЗЛэлементов в полупроводниковых соединениях типа
А5 и А2В6
ГЛАВА П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ.
2.1 Метод магнитной восприимчивости .
Измерение температурной зависимости магнитной
восприимчивости
Градуировка установки для измерения магнитной
восприимчивости
Погрешность измерения магнитной восприимчивости. 2.2 Дополнительные методики использованные в работе. Метод электронного парамагнитного резонанса
Измерение эффекта Холла и удельного сопротивления
Металлографический контроль
Методика приготовления образцов для измерения . ГЛАВА Ш. Экспериментальные результаты и их обсуждение 3.1 Локальные искажения кристаллической решетки вокруг примесных ионов марганца в арсениде индия
стр.
3.2 Поведение примеси марганца в аАэМп .
3.3 Особенности поведения примеси марганца в 1пРНт.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ
Литература