Содержание
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Толстые плнки 1пР и тврдых растворов на его основе
1.2. И.юпериодичные кваитою размерные структуры на основе пСаЛзРпР
1.3. Напряжнные квантово размерные структуры и сверхрештки
1.4. Полупроводниковые лазеры на основе напряжнных квантово размерных структур
1.5. Выводы по анализу литературы
Глава 2. Экспериментальное оборудование и методика экспериментов
2.1. Эпитаксиальное оборудование
2.2. Диагностическое оборудование
2.3. Экспериментальная процедура роста
Глава 3. Моделирование квантово размерных структур для полупроводниковых лазеров, излучающих на длинах волн 1.3 и 1. мкм
3.1. Постановка задачи
3.2. Напряжение, квантово размерный эффект и критическая ччшщина
3.3. Напряжнные етероотруктурь на основе пСаАвРпР для полупроводниковых лазеров, излучающих на длинах волн 1.3 и 1. мкм
3.4. Краткие выводы
Глава 4. Оптимизация условий МОС гидридной эпитаксии и напряжений в слоях квантово размерных структур на основе ЮаЛйРпР
4.1. Постановка задачи
4.2. Толстые слои тврдых растворов
4.3. Влияние окружающих спов и температуры эпитаксии на оптические свойства квантовых ям и свсрхрешток на
основе 1пСаАэ1пР
4.4. Связь отношения УШ с температурой эпитаксии квантовых ям 1пАзР1пСаАзР
4.5. Рост напряжнных квантовых ям 1пАзР1пОаАзР сравнение между двумя типами МОС гидридных реакторов
4.6. Оптимизация условий роста и напряжений в многослойных к ван х оо размерных структурах на основе четверных тврдых растворов
4.7. Формирование жидкой фазы на поверхности напряжнных спов и структур
4.8. Краткие выводы
Глава 5. Применение напряжнных квантово размерных структур
в полупроводниковых лазерах
5.1. Постановка задачи
5.2. Полупроводниковые лазеры, излучающие на длине волны
5.3. олупроводниковье лазеры, излучающие на длине волны
1.3 мкм
5.4. Краткие выводы
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922