- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1984
Артикул:
452758 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN
- Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния
- Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн
- Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
- Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
- Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
- Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr, Co) и кремния
- Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6