- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7410 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
- Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
- Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
- Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов CaInAsSb
- Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе
- Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62
- Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники