Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Индуктивный метод определения удельной проводимости и подвижности в монокристаллах
1.1 Введение
1.2 Экспериментальная установка
1.3 Объект исследования
1.4 Физическое обоснование
1.5 Результаты и их обсуждение
2. Микроискровой метод измерения времени жизни неосновных носителей в
монокристаллах и эпитаксиальных пленках 8С
2.1 Введение
2.2 Экспериментальная установка
2.3 Физическое обоснование
2.4 Результаты и их обсуждение
3. Оптические методы
3.1. Введение
3.2. Определение уровня легирования и подвижности свободных носителей в 8С методом отражательной дифференциальной УФ спектроскопии
3.2.1 Экспериментальная установка
3.2.2 Физическое обоснование
3.2.3 Результаты и их обсуждение
3.3. Применение двулучевой просвечивающей ИК спектроскопии для измерения спектров межнодзоиного поглощения в квантоворазмерных гетероструктурах
ОаАА1хОа.хАз
3.3.1 Особенности оптики двумерных структур
3.3.2 Структура с туннельносвязанными квантовыми ямами
3.3.3 Методика эксперимента
3.3.4 Результаты и их обсуждение
3.3.5 Структура с простыми прямоугольными квантовыми ямами.
Заключение
Литература