Ви є тут

Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия

Автор: 

Аккерман Зиновий Лейбович

Тип роботи: 

ил РГБ ОД 61

Рік: 

1877

Артикул:

7518

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках
• Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое
• Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями
• Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
• Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
• Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
• Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
• Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2?S4 и ZnAl2?S4