- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
Тип роботи:
01.04.10 Моисеев, Константин Дмитриевич Гетеропе
Рік:
2005
Артикул:
7391 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Спектроскопия колебательных состояний в соединениях со структурой шеелита и твердых растворов на их основе
- Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5
- Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами
- К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах
- Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ
- Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
- Моделирование неомической электропроводности сильно неоднородных сред
- Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)
- Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью