- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
Тип роботи:
01.04.10 Моисеев, Константин Дмитриевич Гетеропе
Рік:
2005
Артикул:
7391 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках
- Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
- Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов
- Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
- Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса
- Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
- Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором
- Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения