- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
Тип роботи:
01.04.10 Моисеев, Константин Дмитриевич Гетеропе
Рік:
2005
Артикул:
7391 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром
- Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
- Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
- Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
- Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов
- Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe
- Спетры колебаний решетки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов
- Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
- Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов
- Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур