Ви є тут

Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов

Автор: 
Чан Хи Бинь 0
Тип роботи: 
ил РГБ ОД 61
Рік: 
1675
Артикул:
7559
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ .
ВВЕДЕНИЕ .
ГЛАВА I. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ БИНАРНЫХ
И ТРОЙНЫХ НИТРИДОВ ГРУППЫ А5.
1.1. Электронное строение и физикохимические свойства бинарных нитридов Шбгруппы
1.2. Основные методы получения бинарных нитридов
А и твердых растворов на их основе
1.3. Электрофизические, оптические, лшинесцентные свойства полупроводниковых нитридов А5 и твердых растворов на их основе.
Выводы по главе I .
ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ФАЗОВЫХ РАВНОВЕСИЙ В ТРОЙНЫХ СИСТЕМАХ
га АС , 6а 1п и М 1п И ВЫБОР РАСТВОРИТЕЛЕЙ ДЛЯ 6а
2.1. Анализ моделей, применяемых для расчета фазовых равновесий в системах А В .
2.2. Расчет диаграмм состояния двойных АС ,
6а V , 1п У И ТРОЙНЫХ то АС Н ,
6а 1п I , АС 1п V СИСТЕМ
2.3. Выбор растворителей для эпитаксиального роста
6а V из жидкой фазы .
Выводы по главе 2
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЯВЛЕНИЙ НА ГРАНИЦАХ РАЗДЕЛА ФАЗ
ПРИ ЖФЭ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
3.1. Анализ процессов на границе газжидкая фаза
3.2. Контактные явления на границе расплавподложка
Выводы по главе 3
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МЕТОДА ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ I ЖИДКОЙ ФАЗЫ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУЧЕННЫХ СЛОЕВ О
4.1. Разработка метода получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия из жидкой фазы
4.2. Исследование кинетики процесса ЖФЭ нитрида галлия
4.3. Исследование характеристик слоев нитрида галлия, полученных методом ЖФЭ.
Выводы по главе 4
ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ И ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.
ЛИТЕРАТУРА