- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7425 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3 B5 и A2 B6
- Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
- Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
- Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова
- Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
- Оптические свойства пористых низкоразмерных структур на основе кремния и фосфида галлия
- Динамика решетки, оптические и электрофизические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe
- Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О