- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7422 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
- Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
- Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
- Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
- К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
- Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
- Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
- Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике ?-Fe2 O3
- Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов