- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
Тип работы:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2004
Артикул:
7422 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией
- Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках
- Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
- Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
- Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
- Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик
- Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация