2
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
Введение........................................................................ 5
ГЛАВА I Основные свойства, получение и применение твердых растворов
Gai.xInxAsvSbi.y- (обзор литературы)................................. II
1.1 Основные свойст ва четырехкомпонентных твердых растворов
Са|.х1пхА$у8Ь|.у..................................................... II
1.1.1 Физико-химические свойства бинарных соединений Оа$Ь, СаА$,
1п$Ь и 1пА$, образующих твердые растворы Са|.\1пхА$у8Ь|.у 11
1.1.2 Термодинамический расчет диаграмм фазовых равновесий
системы Оа-1п-Аа-5Ь.............................................. 19
1.1.3 Область существования твердых растворов С}а|.х1пхА5у5Ь|.у. Изопернодныс твердые растворы......................................... 24
1.1.4 Зонная структу ра и электрофизические свойства т вердых растворов ва|.х1пхА$у£Ь|.у............................................ 28
1.2 Фотоэлектрические приборы иа основе твердых раст воров
ОакхГпхАяуБЬ^у....................................................... 32
1.2.1 Предварительные замечания ...................................... 32
1.2.2 Р-п и Р-ыт-фотодиоды............................................ 32
1.2.3 Лавинные фотодиоды.............................................. 38
Выводы ........................................................................ 40
Постановка задачи.............................................................. 41
ГЛАВА II Получение твердых растворов Gai.xInxASYSbi.y- из обогащенных
индием растворов-расплавов и из свинцовых растворов расплавов методом жндкофазной эпитаксии....................................... 43
2.1 Предварительные замечания.................................................. 43
2.2 Экспериментальная установка ............................................. 44
2.3 Исходные материалы и их обработка ......................................... 45
2.4 11олученис изо периодных с подложкой ОаЯЬ твердых растворов Gai.xInxAsYSbi.y- из обогащенных индием растворов-расплавов ............... 47
2.4.1 Жидкофазная эпитаксия и контроль параметров
эпитаксиальных слоев............................................. 47
3
Стр
2.4.2 Снижение концентрации носителей в эпитаксиальных
слоях............................................................. 50
2.4.3 Особенности жидкофазной эпитаксии вблизи границ области несмешиваемости ....................................................... 53
2.4.4 Влияние кристаллографической ориентации подложки Оа$Ь
на состав получаемых твердых растворов............................ 57
2.5 11олучснис твердых растворов (ЗаюЛпхЛзуЗЬгу с использованием
свинца в качестве нейтрального растворителя................................ 63
2.5.1 Предварительные замечания........................................ 63
2.5.2 Термодинамический расчет диаграмм фазовых равновесий расплав-твердое тело (диаграмм плавкости) в системе 1п-<]а-Д$-5Ь-РЬ ....................................................... 64
2.5.3 Методика получения твердых растворов Оак^ПхАвуЗЬьу с использованием свинца в качестве нейтральною растворителя ..... 69
2.5.4 Основные параметры твердых растворов, полученных из свинцовых растворов-расплавов при температурах 560°С и 600°С 71
Выводы................................................................... 75
ГЛАВА III Пассивация полупроводниковых соединений Са5Ь. Са1пАз$Ь.
ваЛЬ^Ь и структур на их основе в водных сульфидных растворах 76
3.1 Предварительные замечания.................................................. 76
3.2 Динамика травления СаЯЬ и материалов на его основе в водных
растворах сульфида натрия (Ыа2$) и сульфида аммония ((МН*^)... ... 77
3.3 Модель процесса формирования пассивирующего покрытия на
поверхности антимоннда галлия....................................... 80
3.4 Выращивание эпитаксиальных слоев СаюДпхАзуБЬву на поверхности подложки Оа8Ь(100), пассивированной в водных растворах Ма;-$х.............. 87
3.4.1 Предварительные замечания........................................ 87
3.4.2 Методика эксперимента............................................ 87
3.4.3 Структурное совершенство и резкость гсгерограницы
(*а$Ь/ Са|.,\1пхА$у$Ь|.у структур ............................... 90
4
3.4.4 Химическая модель процесса...................................... 93
3.4.5 Влияние сульфидной обработки подложки на фотоэлектрические
и электрические свойства n-GaSb/p- Gai.xInxAsySbi.v структур 97
Выводы ................................................................. 99
ГЛАВА IV Фотодиоды на основе твердых растворов Ga|.xInxAsrSb|.y.............. 100
4.1 11редварнтсльныс замечания........................................... 100
4.2 Фотодиоды с грамичной длиной волны 2.4 мкм........................... 100
4.2.1 Конструкция фотодиода.......................................... 101
4.2.2 Процесс формирования меза-геометрии фотодиодной
структуры....................................................... 111
4.1.3 Фотоэлектрические свойства фотодиода........................... 118
4.1.4 Вольт -фарадные и волы-амперные характеристики
фотодиода....................................................... 122
4.1.5 Поверхностные токи утечки.................................... 129
4.1.6 Быстродействующие фотодиоды на основе
гетероструктуры GaSb/Gao 7*In(. 72Aso i*Sbo «Діа* кАІо mAso х»< Sbo т.. 134
4.2 Фотодиоды на основе n-GaSb'n-GalnAsSb'p-GaAlAsSb с боковой поверхностью мезы, пассивированной в водных сульфидных
растворах................................................................ 138
4.2.1 Предварительные замечания...................................... 138
4.2.2 Пассивация боковой поверхности фотодиодных меза-структур n-GaSb/n-GalnAsSb/p-GaAlAsSb в водных раст ворах (NH^S 139
4.3 Фотодиоды с фаничной длиной волны 2.55 мкм............................... 143
4.3.1 Предварительные замечания...................................... 143
4.3.2 Конструкция фотодиода на основе
n-Ga Sb/n'-G a InAsSb/p '-Ga Al AsSb структур.............. 143
4.3.3 Фотоэлектрические свойства фотодиода........................... 144
4.3.4 Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
фотодиода....................................................... 146
Выводы............................................................... 150
Заключение { общие выводы )................................................ 152
Литература .................................................................. 156
5
ВВЕДЕНИЕ
В последние годы привлекает внимание исследователей и активно осваивается средняя инфракрасная (ИК) область спектра (2 5 мкм) для решения экологических, медицинских и других проблем При этом спектральный диапазон 1 8-3 0 мкм представляет интерес для задач лазерной диодной спектроскопии газов и молекул [11. систем лазерной дальнометрип [2.3). а также медицинских применений [4] и мониторинг окружающей среды. Особенно привлекательно дія задач экологического мониторинга использование спсктратьного окна 2.2-2 4 мкм, поскольку в этом спектральном диапазоне такие атмосферные загрязнения как СИ«, СО. N02 и Н.СО имеют сильные линии поглощения, в то время как полосы поглощения паров воды и углекислого газа слабы [5]. Эти и ряд других возможных применений ставят задачу создания элементной базы - оптоэлектронных приборов для указанного спектрального диапазона.
Наиболее перспективными материалами как дія источников, так и для приемников излучения в диапазоне 18-3.0 мкм являются многокомпонентные твердые растворы на основе антимонида галлия (Оа8Ь). Несмотря на то, что в последнее время интенсивно ведется работа по созданию таких твердых растворов и изучению их свойств, целый ряд технологических и фігзических проблем требует дополнительного исследования
В литературе уделяется большое внимание лазерам и светодиодам на основе узкозонных твердых растворов СаІпЛ^Ь, однако мало работ посвящено фотодиодам на основе таких твердых растворов Необходимость создания высокоэффективных фотодиодов с улучшенными параметрами требует новых нетрадиционных подходов как к технологии получения твердых растворов СаІп.^Ь, так и к конструкции фотодиодов, а также к процессу изготовления таких приборов Наиболее важными задачами в настоящее время остаются повышение быстродействия, снижение величины образных темповых токов и увеличение длинноволновой границы спектральной чувствительности фотодиодов. Решению этих задач, представляющих значительный научный и практический интерес, а также сопряженных с ними проблем служат проведенные в данной диссертационной работе исследования
6
Целью настоящей работы являлось создание и исследование высокоэффективных неохлаждаемых быстродействующих фотодиодов с низкими обратными тсмновыми токами на основе изопсриодных гетероструктур СаБЬ/СаІпАвЗЬ'СаАІАзЗЬ для спектрального диапазона 1 2-2 55 мкм
Научная повита полученных в работе результатов состоит в следующем
1. Проведено исследование влияния ориентации подложки ОаБЬ на состав твердых растворов Саі-хІПхАзувЬі-у, полученных вблизи границы области несмешиваемости Обнаружено, что подложка Оа$Ь( ] 11)В оказывает наибольшее стабилизирующее влияние, что позволяет получить твердые растворы с наибольшим содержанием индия в твердой фазе, что. в свою очередь, приводит к сдвигу длинноволнового края спектральной чувствительности структур СаЯЬ/(іаІпАк$Ь в более длинноволновую область
2. Проведен термодинамический анализ условий фазового равновесия и впервые фрагментарно исследованы фазовые диаграммы в системе Оа-Іп-Ая-ЗЬ-РЬ Впервые получены твердые растворы Оао^По иАзр ^БЬо м и Оао.яіІі^і«Аа» і»5Ьо.м с использованием свинца в качестве нейтрального растворителя
3. Впервые выполнено исследование динамики процессов травления и пассивации поверхности Оа$Ь(1СЮ) и твердых растворов Са1пА$$Ь, СаА1А5$Ь в водных растворах сульфида натрия и сульфида аммония
4. Впервые проведено исследование влияния пассивации подложки СаБЬНОО) перед процессом ЖФЗ в водных растворах сульфида натрия на морфологию эпитаксиальных слоев твердых растворов СаьхШхАзуБЬм- и резкость интерфейса п Оа$Ь/р-Са1пА5$Ь гстероструктур. а также на фотоэлектрические и электрические свойства таких гетерострукгур.
5. Впервые проведено исследование влияния пассивации боковой поверхности иаЗЬ/ОаІпАвЗЬ'ОаЛІАзЗЬ фотодиодных меза-структур в водных растворах сульфида аммония на величину обратных темновых токов.
7
Результаты проведенных исследований позволили сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту.
Границы области существования изопериодных с ОаБЬ твердых растворов Оак\'1п\А5у8Ь|.у, полученных методом жидкофазной эпитаксии со стороны составов, близких к Оа$Ь. зависят от ориентации подложки, при этом максимальное содержание индия в таких твердых растворах, полученных при температуре Т={6ОО±3)0С, растет в ряду ориентаций положки СаБЬ (100). (III)Л и (Ш)В и составляет 0 22.0.23,0 24. соответственно
Пассивация поверхности GaSb(100) и твердых растворов GalnAsSb. GaAlAsSb на основе GaSb в водных растворах Na-Sx и (NTLbS сопровождается процессом травления, при этом в водных растворах (N1 l*)jS травление идет с постоянной скоростью, а в водных растворах Na2Sx скорость травления падает со временем обработки вплоть до остановки процесса, что обусловлено образованием пассивирующего покрытия, защищающего поверхность полупроводника от дальнейшего травления
ПОЛОЖЕНИЕ 111 (об обратном темповом токе фотодиода)
В меча фотодиодах на основе твердых растворов Gai.xItixAsySbj.y с диаметром чувствительной площадки 200-300мкм обратный темновой ток определяется, в основном, поверхностной составляющей тока, а после пассивации боковой поверхности мезы в водных растворах (NR»)2S - объемной составляющей, при этом в объемной составляющей обратного темнового тока при Т>215К и обратных смещениях Uocp<20B доминирует компонента тока, обусловленная генерацией-рекомбинацией носителей в области пространственною заряда, а при 1Ц,>2.0В либо Т<215К проявляется компонента тока, обусловленная межзонным туннелированием носителей
(об ориентационной зависимости состава твердого раствора Gai-xInxAsySbi-y)
(о пассивации поверхности Оа$Ь и полупроводниковых соединений на его основе в водных растворах ^Бх и (МН^Б)
я
Практическая значимость результатов работы заключается в том, что
1. Созданы быстродействующие р-і-п фотодиоды на основе гстсроструктуры ОаБЬ/ОаІпАзВЬ/ОаАІАвЗЬ с низкими темновыми токами (1<1 мкА при Йоту—ЗВ) для спектрального диапазона 1 2-2 4 мкм, работающие при комнатной температуре Полоса пропускания фотодиодов составила не менее 1.5 ГГц на длине волны А.-2.0 мкм.
2. Впервые созданы методом ЖФЭ длинноволновые фотодиоды на основе гстсроструктуры Сао7б5ІПп.»$А8о2і5Ь^7»,,Сао.ббАІо.мА8оо2т5Ьіід7$ на подложках Оа8Ь(111)В с граничной длиной волны Х,р=2.55 мкм и проведено исследование их электрических и фотоэлектрических свойств
3. Разработана методика выращивания методом ЖФЭ изопериодкых к Оа8Ь твердых растворов ОаілІпхА5У$Ь|.у из свинцовых растворов-расплавов
4. Разработана методика пассивации подложки Са8Ь(100) в водных растворах Ыа^х перед процессом ЖФЭ с целью улучшения электрических и фотоэлектрических характеристик п-<За8Ь/р-Оа1пАя5Ь фотодиодных гетерострукгур
5. Разработана методика пассивации боковой поверхности фотодиодных меза -структур на основе Оа8Ьі,’ОаІпА58Ь',,ОаАІА5$Ь в водных растворах (Гч'Н«)>8. которая позволяет значительно (в 5-10 раз) снизить величину обратного темнового тока фотодиодов.
Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 172 страницы, включая 54 рисунка и 7 таблиц. Список цитируемой литературы включает 202 наименования и занимает 17 страниц
Во в в е д е н н и обоснована актуальность проведенных в данной работе исследований, определена основная цель работы, показаны научная новизна и практическая ценность полученных результатов, приведены выносимые на защиту научные положения и краткое содержание диссертации по главам.
Первая глава посвящена обзору литературы по теме работы и постановке задач исследования Рассматриваются основные свойства, получение и применение твердых растворов Саі.х1ПхА&у8Ьі.у на основе С»а8Ь Глава состоит из двух частей.
В раз(}еле /. / обсуждаются физико-химические свойства бинарных соединений, образующих твердые растворы Саі.хГпхА$уЯЬ|.у (§1 1 1) Уделяется
•>
значительное внимание термодинамическому анализу диаграмм фазовых равновесий системы Ga-In-As-Sb (§1 1.2), определению области существования твердых растворов Gai-xInxAsySbi.Y (§1 1 3) Анализируются условия изопсриодичности таких твердых растворов с подложкой GaSb (§1.1 3). их зонная структура и электрофизические свойства (§114)
Н рач<)е.че 1.2 представлен обзор литературных данных по фотодиодам на основе твердых растворов Gai.xIn.\AsySbi.y. Обсуждаются конструкция и характеристики p-n, p-i-n и лавинных фотодиодов.
Вторая глава является методической и посвящена технологии получения твердых растворов GauxInxAsySbi.y, а также описанию экспериментальной установки жидкофазной эпитаксии Глава состоит из двух частей Раздел 2.4 данной главы посвящен получению таких твердых растворов из обогащенных индием растворов-расплавов. Обсуждается процесс легирования эпитаксиальных слоев, рассматриваются особенности жндкофазной эпитаксии вблизи границ области несмешиваемости, а также влияние кристаллографической ориентации подложки GaSb на состав получаемых твердых растворов Н рамЗе.че 2.5 второй главы содержатся результаты теоретического и экспериментального исследования диаграмм фазовых равновесий в системе Ga-In-As-Sb-Pb, описана методика получения с использованием свинца твердых растворов Gai.xln.\AsySb|.y, изопериодных к GaSb, и их основные параметры
В т р стьей главе представлены результаты исследований пассивации поверхности GaSb и твердых растворов на его основе в водных растворах сульфида натрия и сульфида аммония Обсуждается динамика травления таких материалов в сульфидных растворах, предлагается вероятная модель формирования на их поверхности сульфидного пассивирующего покрытия Рассматривается новый метод обработки подложки GaSb перед процессом жидкофазной эпитаксии - пассивация в водных растворах NajSx, приводятся результаты исследования влияния данной обработки на структурное совершенство эпитаксиальных слоев, а также резкость гетерограницы, фотоэлектрические и электрические свойства n-GaSb/p-GalnAsSb структур
Четвертая глава диссертации посвящена созданию и исследованию фотодиодов на основе твердых растворов Gai.xInxAsySb|.Y Приводятся требования к
10
таким фотодиодам Рассматривается конструкция, фотоэлектрические свойства, вольт-фарадиые и вольт-амперные характеристики фотодиодов с граничной длиной волны >.ф-2 4 мкм и Х,Р-2 55 мкм Обсуждается процесс формирования меза-геометрни фотодиодной гетсроструктуры. проблемы зашиты боковой поверхности мезы Особое внимание уделяется увеличению быстродействия и снижению обратных темповых токов фотодиодов
В заключении сформулированы основные результаты диссертационной рабогы.
Л/цхтаиии работы Основные результаты диссертационной работы представлялись на следующих Всероссийских и Международных конференциях 23rd International Symposium Compound Semiconductors (St.Petersburg, Russia, 1996), 192nd International Meeting of the Electrochemical Society (Paris, France, 1997), 2-й Российский симпозиум “Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур' (Обнинск, Россия, 1997), VI Международная конференция по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск. Украина. 1997), Международная конференция "Прикладная оптика-98” (Санкт-Петербург. Россия, 1998), Conference “Mid-infrared Optoelectronics: Materials and Devices (Prague, the Czech Republic. 1998), First International Workshop “Nudcation and Non-Linear problems in the fiist-order phase transitions” (St -Petersburg. Russia. 1998), 9 International Conference on Solid Films and Surfaces (Copenhagen, Denmark, 1998), 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (Smolcmce Castle. Slovakia. 1998)
Но материалам, входящим в диссертацию, опубликовано 15 печатных работ.
Работа выполнена в лаборатории инфракрасной огггоэлектроники Ф ГИ им.Иоффе РАН
II
ГЛАВА I Основные свойства, получение и применение твердых растворов Gai.xInxA.SYSb!.у (обзор литературы)
1.1 Основные свойства четырехкомпонентных твердых растворов Са1.\1п\А$у8Ь,.у
1.1.1 Фн)ико*\имическне свойства бинарных соединений СаМт, СяА*. 1пХЬ н 1пЛя
Понимание и объяснение свойств узкотонных твердых растворов Оа|.х1п.\А$у5Ь|.у невозможно без глубокого исследования физико-химических свойств бинарных соединений, образующих твердый раствор Данная работа посвящена исследованию твердых растворов Оа^ПхАяувЬ^ на основе антлмонида галлия (Са8Ь), которые в наибольшей степени наследуют свойства именно этого бинарного соединения Поэтому в данном разделе особое внимание будет уделено антимониду галлия
Бинарные полупроводниковые соединения СаБЬ. ОаЛ$. 1пБЬ и 1пА$, как и большинство полупроводниковых соединений А'В\ имеют кристаллическую решетку типа цинковой обманки (сфалерита) [6.7] Структура сфалерита может рассматриваться как комбинация двух кубических гранецектрированных решеток, смещенных относительно друг друза на 1/4 диагонали куба и состоящих из одною сорта атомов каждая Таким образом, каждый атом располагается в центре тетраэдра, образованного четырьмя ближайшими соседями. Соседями всегда оказываются атомы разных Элементов
Структура сфалерита не имеет центра инверсии Это приводит к тому, что плоскости (1 1 1) и ( Т 1 1) не эквивалентны. Поверхности (111) построены из атомов металла - А, в го время как поверхности (111) состоят из атомов неметалла - В Этим отличием в структуре обусловлены различия в свойствах соответствующих граней крнсгаллов Данные различия проявляются, например, при выращивании, травлении или окислении Кристаллографические направления (110) и (100) не полярны
Химическая связь в полупроводниках А В* является промежуточной между ионной и ковалентной [7). Валентные электроны имеют тенденцию больше
12
пребывать у атомов В\ чем А' Это смещение электронного облака наиболее сильно выражено в случае фосфидов и арсеннлов В ряду соединений СаБЬ. ОаАз, 1пБЬ и 1пА$ величина ионносги возрастает. Из четырех ковалентных связей каждого из атомов А' и В5 одна осуществляется за счет неиоделенных $2-электронов Эта коорлинативная связь в конечном итоге не отличается от обычной ковалентной связи
В то время как сопоставление химических связен и физических свойств соединений А1 В5 основывается на вероятностных соображениях, картина зонной структуры является достаточно полной В 1пБЬ и 1пАя зоны проводимости можно представить в виде простой, приблизительно изотропной зоны с минимумом в центре зоны Бриллюэна. В СаЛв в зоне проводимости имеется несколько подзон, [ 1 (Ю)-минимум лежит на 0 36 эВ выше наиболее низкого (000)-мнннмума В СаБЬ в зоне проводимости помимо центральной Г-долины имеются побочные низколежащне X- и Ь- долины с большей плотностью состояний, расположенные в направлениях (100) и (111), соответственно (см Рис 1){8] При этом расстояние от дна Г-долины до минимумов соответствующих долин меньше ширины запрешенной зоны (Е„) (Дгх=0 42 эВ, Дп.=0 08 эВ) Три подзоны в ОаБЬ расположены настолько близко, что каждую из них надо принимать во внимание при интерпретации экспериментальных данных. В соединениях СаБЬ, СаАх, 1пБЬ и 1пАз переходы, для которых значение пороговой энергии равно К*, являются прямыми переходами из валентной зоны в наиболее низкий (ООО) минимум зоны проводимости Авторы работы (9], основываясь на результатах исследования спектров фотолюминесценции СаБЬ, легированного теллуром (Тс), показали, что Е# данного материала зависит от концентрации носителей Е* сильно легированного материала (п>10|7см'?) значительно меньше, чем слабо легированного и нелегированного СаБЬ Сужение Ек может быть объяснено с точки зрения многочастичного взаимодействия и произвольного распределения примесей Простое выражение, связывающее сужение Е^ изменение положения уровня Ферми и концентрацию свободных носителей
ДЕ+--4 2 10'*хп'13 (эВ)
ДЕв=-4.7 10’вхп',,(эВ)
(1.1)
ІЗ
К=0 (ООО) К'%(Щ
Рис.І Зонная структура GaSb поданным работы [8]
14
На Рис 2 представлены параметры решетки и Е1 при Т^ЗООК для бинарных соединении А*В\ а также тройных и четверных твердых растворов на их основе (10]
Зависимости К* от температуры плавления для соединений Оа8Ь, СаАа, ІпЯЬ и 1пА$ представлены на рисунке 3. соответственно [7] По классификации Регеля соединения типа А’В' плавятся по тину полупроводник-металл Физическая природа изменений, происходящих в процессе фазового перехода кристалл-расплав в ОаЯЬ, обсуждается в работе [11] Па основе результатов но тепловому расширению авторами произведены расчеты среднеквадратичных динамических смешений атомов в структуре ближнего порядка расплавов соединений Нашло подтверждение значительное изменение колебательного спектра при плавлении.
Значения основных параметров, характеризующих Оа$Ь. Сіа/Чя. ІпБЬ и іізАб представлены в Таблице 1.
Простейшими собственными точечными дефектами в кристаллической решетке соединений А’В5 являются вакансии, междоузельные атомы и антиструкгурмые дефекты [12]. Все эти дефекты могут образовывать комплексы между собой, а также с атомами легирующих и остаточных примесей. В работах [13,14] показано, что изолированные антиструктурные дефекты и акти структурные пары могут присутствовать в А'В' в больших концентрациях и оказывать существенное влияние на электрофизические свойства Предполагается, что изолированные дефекты типа "атомы 5-й группы на месте атомов 3-й группы" (ВА) являются двузарядными донорами, а дефекты типа "атомы 3-й группы на месте атомов 5-й группы” (Аа) - двузарядными акцепторами Эти дефекты при взаимодействии с вакансиями [15] могут создавать комплексы. В общем случае теория [13] предсказывает, чго в широкозонных соединениях преобладающими являются вакансии, в то время как в узкозонных - антиструктурные дефекты В отличие от других соединений Л'в'. нелегированный Оа$Ь, независимо от метола его получения, всегда имеет р-тип проводимости с концентрацией акцепторов порядка (1-2)* 101, см-3, подвижностью р=600-700 см'/Вхс при Т: ;300К и р=(2-3) х10п см'3, р=200(>-3000 см2/В*с при Т=77К [16] Основными механизмами ограничения подвижности в р-С»аБЬ являются рассеяния на акустических фононах, неполярных и полярных фононах и на ионизированных примесях [17].
15
Рис 2 Ширина запрещенной зоны и параметры решетки ряда полупроводниковых соединений [10]
(mit)
- Київ+380960830922