Оглавление
Введение
1. Состояние вопроса и задачи исследования
1.1 Природа акустической эмиссии в полупроводниках
1.2. Механизмы движения дислокаций.
1.3. Механизмы торможения дислокаций.
1.4. Электропластичсский и магнитопластический эффекты
1.4.1. Электропластический эффект. .
1.4.2. Магнитопластический эффект
2. Методы исследования динамики дислокаций в кристаллах кремния
2.1 Введение дислокаций в пластины кремния.
2.1.1. Введение дислокаций по трехточечной схеме нафужения
2.1.2. Введение дислокаций четырехопорным
способом.
2.2. ыявление дислокаций
2.3. Техника акустоэмиссионных исследований
3. Акустическая эмиссия дислокационного кремния в электрическом поле ,
3.1. Обоснование дислокационной природы акустической эмиссии в кремнии
3.2. Взаимосвязь акустической эмиссии и электростимулированной миграции дислокаций в
кремнии
3.3 Влияние электрического тока на активационные
характеристики движения дислокаций.
4. Динамика дислокационных ансамблей в кремнии при
механических воздействиях
4.1. Анализ дислокационного транспорта.
4.2. Влияние внутренних напряжений на транспорт дислокаций в кремнии.
4.3. Динамика линейных дефектов в поле внешних и внутренних сил
4.3.1. Влияние внешней нагрузки на скорость перемещения дислокаций.
4.3.2. Изменение дислокационной динамики с уровнем действующих внугренних напряжений.
4.4 Поведение дислокаций в кремнии в полях
немеханической природы.
5. Дислокационный транспорт и кремнии в возмущающих
нолях различной природы
5.1. Динамика дислокационных ансамблей в кремнии при механических и магнитных возмущениях.
5.1.1. Эволюция примесных центров в магнитном
5.1.2. Дислокационный транспорт в магнитном поле .
5.2. Дислокации в иоле комбинированного воздействия других возмущающих факторов электрических и магнитных
5.3. Термооптическое возбуждение дислокаций в кристаллах кремния
Основные результаты и выводы
Литература
- Київ+380960830922