- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1984
Артикул:
452755 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62
- Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния
- Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
- Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
- Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
- Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения
- Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
- Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах