Оглавление
Введение
Глава I. Полупроводниковые структуры с I КТ в
матрице
Глава II. Метод исследования. Просвечивающая электронная
микроскопия
II. 1. Формирование изображения в просвечивающем
электронном микроскопе
.2. Дифракционный контраст
II.3 Фазовый контраст
II.4. Методика приготовления образцов для ПЭМ исследований
Глава III. Влияние промежу точного отжига на микроструктуру,
морфологию и размеры I КТ в матрице или , при выращивании ГФЭ МОС
III. 1. Удаление протяженных дефектов в массиве I КТ в матрице
.1.1. Последовательность роста структур с одним и с тремя слоями массивов КТ
III. 1.2. Экспериментальные результаты влияния
процедуры промежуточного отжига
III. 1.3. Заключение
1.2. I i формирование нанодоменов I на поверхности i,
1.2.1. Мотивация
1.2.2. Режимы роста структур с I КЯ
1.2.3. Результаты влияния высокотемпературного отжига I КЯ, покрытой слоем
III.2.4. Выводы Определение влияния температурных режимов роста на морфологию I КТ
IV. 1. Мотивация
IV.2. Температурные режимы роста КТ
IV.3. Экспериментальные данные влияния температурных режимов роста на размерные и оптические характеристики КТ
IV.4. Выводы
Снижение плотности дефектов в структурах с I КТ, выращенными методом МПЭ при низкой температуре
V.. Мотивация
V.2. Режимы роста структур с низкотемпературными КТ V.3. Экспериментальные результаты влияния процедуры промежуточного отжига и процедуры высокотемпературного отжига на оптические и структурные характеристики массива низкотемпературных КТ V.4. Обсуждение и выводы
Введение
Актуальность
- Київ+380960830922