- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
Тип роботи:
получение, свойства и применение
Рік:
2003
Артикул:
7485 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
- Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Низькочастотна діелектрична поляризація кристалів селенідів індію та галію
- Полупроводниковые элементы интегральной оптики, полученные с использованием ионно-плазменного напыления
- Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем
- Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
- Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках
- Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
- Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
- Новые аллотропные формы кремния