- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7242 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Фазовые переходы, оптическая бистабильность и образование сверхструктур в полупроводниках Пайерлсовского типа
- Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
- Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
- Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
- Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs
- Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона