Ви є тут

Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV

Автор: 

Бойко Владимир Михайлович

Тип роботи: 

диссертация кандидата физико-математических наук

Рік: 

2007

Артикул:

7242

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
• Оптические свойства фотонных кристаллов и волноведущих структур на их основе
• Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
• Неупругое туннелирование куперовских пар с участием фононов в с- направлении в одиночных и стопочных контактах на микротрещине в Bi-Sr-Ca-Cu-O
• Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями
• Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
• Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела
• Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда
• Резонансное одно- и двухфотонное взаимодействие света с экситонами в квантовых точках CdSe/ZnS
• Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями