- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7242 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs
- Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием
- Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках
- Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
- Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
- Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
- Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x=>< 0.175)=
- Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра
- Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
- Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия