- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7242 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
- Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
- Ізовалентно заміщені борати літію і барію: синтез, структурні особливості та фізичні властивості
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
- Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
- Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
- Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
- Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
- Формирование и свойства наногетероструктур на основе кремния и дисилицида железа
- Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями