Ви є тут

Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона

Автор: 

Кайгородов Валентин Анатольевич

Тип роботи: 

Дис. канд. физ.-мат. наук

Рік: 

2004

Артикул:

7437

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Разработка и исследование арсенидгаллиевых детекторов ионизирующих излучений с разделенными областями накопления и считывания заряда
• Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
• Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
• Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов
• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
• Поверхностные состояния и особенности электропроводности квазидвумерных электронных слоев в МДП- и гетеротранзисторах
• Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
• Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах
• Радиационная деградация функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах ядерных излучений