- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7437 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников
- Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
- Моделирование электрических свойств виртуальных сегнетоэлектриков, входящих в состав управляемых конденсаторов
- Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
- Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
- Атомно-силовая микроскопия заращенных Si,Ge наноразмерных островков : диагностика и зарядовая нанолитография
- Термическое газофазное осаждение алмазных плёнок с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза в качестве центров зародышеобразования