Ви є тут

Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов

Автор: 

Сергейченко Надежда Владимировна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2013

Артикул:

324490

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
• Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
• Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
• Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
• Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
• Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
• Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия
• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
• Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью
• Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности