- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
Тип работы:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2004
Артикул:
7437 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах
- Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
- Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
- Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
- Электронное упорядочение и фазовые переходы в кристаллах с узкими зонами проводимости
- Компьютерное моделирование роста наноструктур
- Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
- Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
- Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
- Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков