- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
146
Артикул:
7354 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Магнитные фазовые переходы и физические свойства реальных материалов со сложной магнитной структурой
- Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки
- Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
- Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек
- Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
- Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
- Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами
- Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
- Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния