- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
146
Артикул:
7354 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние адсорбционных покрытий на фотолюминесценцию пористого кремния
- Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
- Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
- Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона
- Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
- Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности
- Транспортные свойства твердотельных электронных биллиардов
- Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур
- Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
- Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах