- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
146
Артикул:
7354 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов
- Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит
- Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs
- Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков
- Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
- Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током
- Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда
- Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
- Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях
- Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур