- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
146
Артикул:
7354 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
- Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников
- Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
- Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
- Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
- Исследование энергетических структур твердых тел тензорным методом
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм
- Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si