Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1
ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ.
1.1 Принцип действия полупроводникового детектора
1.2 Перспективность использования ОаАэ для изготовления детекторов.
1.3 Детекторы на основе объемного ОаАэ.
1.4 Детекторы на основе эпитаксиальных слоев ваЛБ
1.4.1 Детекторы на основе слоев ваАБ, выращенных методом жидкофазовой
эпитаксии.
1.4.1.1 Детекторы на основе нелегированных ЖФЭслоев СаАь
1.4.1.2 Детекторы на основе компенсированных ЖФЭслоев ваАБ
1.4.2 Детекторы на основе слоев СаАэ, выращенных методом газофазовой эпитаксии .
1.4.2.1 Детекторы на основе нелегированных ГФЭслоев йаАз
1.4.2.2 Детекторы на основе ГФЭслоев ваАз, компенсированных глубокими центрами.
1.5 Выводы к обзору и постановка задачи
ГЛАВА 2
МЕТОДИКИ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ И ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
2.1. Исследуемые сгруктуры.
2.2 Методики вольтфарадных характеристик
2.2.1 Определение типа проводимости и концентрации носителей заряда с использованием контакта ртутьполупроводник
2.2.2 Определение профилей концентрации электронов с использованием контакта электролитполупроводник.
2.2.3 Измерение вольтфарадных характеристик структур
2.3 Методики вольтамперных характеристик
2.3.1 Однозондовый метод измерения сопротивления растекания контакта металлполупроводник
2.3.2 Измерение вольтамперных характеристик.
2.4 Определение параметров диффузии атомов хрома.
2.5 Исследование напряженности электрического поля.
2.6 Расчет профилей напряженности электрического поля
2.7 Измерение амплитудных спектров.
ГЛАВА 3
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ДЕТЕКТОРНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НЕЛЕГИРОВАННЫХ И СЛАБО ЛЕГИРОВАННЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ОэАб.
3.1 Зависимость емкости от частоты. Вольтфарадные характеристики структур.
3.2 Вольтамперные характеристики структу р. Механизм переноса носителей заряда
3.3. Собирание заряда в детекторных структурах. Амплитудные спектры
3.4. Выводы к главе 3
ГЛАВА 4
ДИФФУЗИЯ ХРОМА В ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ ваАБ
4.1. Профили концентрации носителей и удельное сопротивление в эпитаксиальнодиффузионных структурах
4.2 Исследование параметров диффузии атомов хрома в эпитаксиальные слои ОаА.з
4.3. Влияние режима диффузии хрома на распределение носителей заряда в
детекторных структурах.
4.4. Выводы к главе 4
ГЛАВА 5
ДЕТЕКТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ГФЭСЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ,
КОМПЕНСИРОВАННЫХ ХРОМОМ
5.1 Вольтфарадные характеристики структур.
5.2. Вольтамперные характеристики структур.
5.3. Распределение напряженности электрического поля
5.4. Амплитудные спектры. Собирание заряда в структурах.
Выводы к главе 5
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ