Введение
1. Обзор литературы.
1.1. Уравнения диффузии.
1.2. Механизмы диффузии примесей
1.2.1 Прямые механизмы
1.2.2 Вакансионный механизм.
1.2.3 епрямой междоузельный механизм
1.2.4 Смешанный непрямой вакансионномеждоузельный механизм
1.2.5 Диссоциативный механизм.
1.2.6 Механизм вытеснения.
1.3. Особенности диффузии в полупроводниках
1.3.1 Влияние внутреннего электрического поля.
1.3.2 Эффект уровня Ферми.
1.3.3 Комплексообразование
1.3.4 Влияние неравновесных собственных точечных дефектов.
1.4. Геттерирование примесей в полупроводниках
1.4.1 Методы генерирования
1.4.2 Сегрегационное генерирование однородным слоем.
1.4.3 Сегрегационное генерирование неоднородным слоем.
1.4.4 Сегрегационноинжекционное генерирование
1.5. Выводы.
2. Методы решения систем диффузионнокинетических уравнений
2.1. Метод конечных разностей.
2.2. Метод прогонки для решения тридиагональной.
матрицы
3. Совместная диффузия ионизованных примесей
в полупроводниках
3.1. Влияние внутреннего электрического поля
на совместную диффузию примесей
3.2. Результаты расчтов и их обсуждение
3.3. Выводы.
4. Диффузия алюминия в кремнии в нейтральной и окислительной средах
4.1. Диффузия А1 по непрямому вакансионномеждоузельному механизму
4.2. Диффузия А1 по механизму вытеснения
4.3. Обсуждение результатов.
4.4. Выводы.
5. Сегрегационное генерирование примесей
5.1. Диффузионнокинетическая модель
5.2. Диффузионносегрегационная модель
5.3. Геттерирование однородным слоем
5.4. Обсуждение результатов и выводы
6. Ссгрегационноинжскционное генерирование.
примесей.
6.1. Обратная диффузия примеси по механизму вытеснения
6.2. Влияние степени сегрегационного генерирования
6.3. Влияние пересыщения по СМА.
6.4. Влияние плотности дислокаций.
6.5. Обсуждение результатов.
6.6. Выводы
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922