СОДЕРЖАНИЕ
ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ И УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
Раздел I МОЩНЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
Глава. ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ И ОСОБЕННОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР
1.1. Введение.
1.2. Эпитаксиальные двойные гетероструктуры из тврдых растворов
1.3. Эффективность излучения эпитаксиальных структур.
1.4. Дефектность эпитаксиальных структур
1.5. Электрические характеристики диодов при малых токах.
1.6. Оптические свойства эпитаксиальных структур.
1.7. Выводы.
ГЛАВА 2. КОНСТРУКТОРСКОТЕХНОЛ ОГИЧЕСК АЯ ПРОРАБОТКА МОЩНОГО ИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА
2.1. Введение.9
2.2. Конструктивнотехнологическая проработка кристалла мощного ИД
2.2.1. Плотность прямого тока в кристаллег
2.2.2. Кристалл с двухсторонним контактом
2.2.3. Многомезовая и одномезовая конструкции кристалла
2.2.4. Особенности кристаллов для красного и двухцветного излучате
2.2.5. Кристаллы зелного свечения.
2.3. Проблемы геплорассеяния и теплоотводаП
2.3.1. Анализ тепловыделения в кристалле излучающего диода.
2.3.2. Конструкция корпусатеплоотвода.
2.3.3. Экспериментальные результатылгЭ
2.4. Отдельные вщфосы повьппегая световыводаИ
2.4.1. Методика измерения силы излучения.Хг
2.4.2. О световыводе из многослойных эпитаксиалыгых структур.
2.4.3. Преломляющая линза
2.4.4. Параболоидный концентратор излучения
2.5. Диаграмма направленности излучения двухволнового излучателя
2.6. Выводы.
ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ .
ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ
3.1. Технология изготовления кристалла
3.1.1. Разработка технологии омических контактов.
3.1.2. Технология изготовления кристалла.
3.2. Технология изготовления кристаллодсржателя.
3.3. Технология сборки диодов, технологические испытания
3.5. Выводы.
ГЛАВА 4. БАЗОВЫЙ РЯД МОЩНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ.1
4.1. Основные характеристики и параметры излучающих диодов.
Методики измерений.
4.2. Электрические характеристики мощных излучателей
4.3. Светотехнические характеристики диодов.
4.4. Деградационные параметры и эксплуатационные характеристики.
4.4.1. Определение параметров деградационных процессов
4.4.2. Оценкаупроцентного ресурса и времени минимальной наработки
4.4.3. Светоизлучающие диоды в режиме больших токов
4.5. Светодиоды на основе низкоразмерных эпитаксиальных структур .
4.6. Вьшоды
литература
- Київ+380960830922