- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1984
Артикул:
452756 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков
- Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия
- Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур
- Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Применение теории гармонических колебаний для описания релаксационной поляризации в высокоглиноземистых керамиках
- Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями