- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2002
Артикул:
452748 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах
- Температурная зависимость теплоемкости твердых растворов системы арсенид галлия - фосфид индия - арсенид индия в области 5 - 300 К.
- Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды
- Радиационная деградация функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах ядерных излучений
- Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений
- Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
- Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
- Исследование энергетических и временных параметров фазовых переходов в халькогенидном соединении Ge2Sb2Te5
- Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур