- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2002
Артикул:
452748 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Спетры колебаний решетки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов
- Фізичні властивості твердих розчинів із стехіометричними вакансіями на основі сульфіду та селеніду ртуті
- Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
- Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
- Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах
- Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников