Ви є тут

Температурная зависимость теплоемкости твердых растворов системы арсенид галлия - фосфид индия - арсенид индия в области 5 - 300 К.

Автор: 

Новиков Владимир Васильевич

Тип роботи: 

ил РГБ ОД 61

Рік: 

1123

Артикул:

7547

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников
• Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий
• Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией
• Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
• Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
• Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
• Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
• Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2
• Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров
• Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках