- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
150
Артикул:
136585 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
- Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
- Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью
- Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремний-германий, полученные методом ионной имплантации
- Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (λ=2-5 мкм)
- Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
- Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
- Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния