Ви є тут

Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния

Автор: 

Курило Оксана Васильевна

Тип роботи: 

диссертация кандидата физико-математических наук

Рік: 

2005

Кількість сторінок: 

132

Артикул:

7387

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
• Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями
• Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
• Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
• Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
• Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
• Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
• Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях
• Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении