СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I Свойства горячих электронов в объемном ваАв и структурах с изолированными КЯ ЗаАвАЗАв . . . . .
1.1. Излучательная рекомбинация фотовозбужденных электронов
в объемном ОаАБ
1.2. Особенности выстраивания импульсов и ориентации спинов
фотовозбужденных электронов в КЯ СаАвАМАБ . . .
1.3. Поляризация ГФЛ в магнитном поле для объемного полупроводника и КЯ
1.4. Основные механизмы рассеяния горячих электронов в объемном
ОаАз и КЯ ОаА8А1Аз .
ГЛАВА II Методика эксперимента
2.1. Экспериментальная установка
2.2. Исследованные образцы и их параметры
ГЛАВА 1П Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов переходе от 2Т к системе . .
3.1. Поляризация ГФЛ в СР СаАзАЬАз .
3.1.1 Зависимость поляризации Г ФЛ от кинетической энергии фотовозбужденных электронов .
3.1.2 Энергетическое распределение поляризации по бесфононному пику ГФЛ.
3.2. Поляризация ГФЛ в магнитном поле в СР ваАвАЗАв .
3.2.1. Поляризация ГФЛ в продольном магнитном поле
геометрия Фарадея
3.2.2. Особенности поведения линейной поляризации ГФЛ в поперечном магнитном поле геометрия Фойхта .
3.2.3. Возникновение линейно поляризованной ГФЛ в поперечном магнитном поле при возбуждении неполяризованным светом .
3.3. Поляризация ГФЛ в СР ОаА8А1хОахА8. Зависимость от высоты
барьера
3.3.1. Линейная поляризация ГФЛ в СР при переходе к
объемному полупроводнику . . . . .
3.3.2. Восстановление эффекта спинимпульсной корреляции в СР
Выводы по главе III
ГЛАВА IV. Энергетическая и импульсная релаксация горячих
электронов в КЯ ЗаАвАЬ лтипа .
4.1. Горячая фотолюминесценция в КЯ, легированных кремнием .
4.2. Неупругое рассеяние горячих электронов на нейтральных донорах
в КЯ лтипа .
4.3. Динамика процессов рассеяния горячих электронов в зависимости
от температуры
4.4. Особенности рассеяния горячих электронов в КЯ на границе
перехода между структурами I и И типа
Выводы по главе IV
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
Список литературы
- Київ+380960830922