- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
0
Артикул:
505587 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n - перехода
- Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела
- Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
- Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
- Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
- Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников
- Поляризационные оптические явления в полупроводниках со сложной структурой зон