- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
0
Артикул:
505587 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
- Халькогениды элементов четвертой группы : Получение, исследование и применение
- Энергетический спектр электронных и колебательных состояний в полупроводниковых нанокристаллах
- Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
- Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
- Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах