- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
0
Артикул:
505587 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6
- Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
- Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
- Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Исследование процессов возбуждения предпробойной электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных структурах
- Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
- Халькогениды элементов четвертой группы
- Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках