- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
0
Артикул:
505587 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова
- Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д. И. Менделеева
- Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
- Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
- Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела
- Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии
- Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
- Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния
- Исследование возможности использования тонкопленочных монолитных слоистых структур для создания устройств обработки широкополосных сигналов и мониторинга окружающей среды