- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
110
Артикул:
7239 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках
- Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении
- Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
- Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ
- Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек
- Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
- Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников