- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
110
Артикул:
7239 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения
- Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела
- Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова
- Влияние адсорбционного покрытия поверхности кремниевых нанокристаллов на электронные и оптические свойства их ансамблей
- К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением
- Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
- Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах
- Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6