- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
110
Артикул:
7239 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения
- Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O)
- Электропроводность сенсорных слоев диоксида олова модифицированной толщины
- Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
- Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)
- Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
- Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов
- Влияние микро- и наноструктурирования на оптические свойства кремниевых слоев
- Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона