- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
110
Артикул:
7239 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений
- Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния
- Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур
- Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs
- Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
- Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур
- Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
- Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами