- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
110
Артикул:
7239 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
- Новые аллотропные формы кремния : Получение и свойства
- Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
- Электрооптические свойства несимметричных жидкокристаллических микролинз
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Магнитоупругая динамика марганец - цинковых ферритов в области спиновой переориентации
- Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
- Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
- Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
- Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью