- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2007
Количество страниц:
110
Артикул:
7239 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
- Тонкая структура нульмерных экситонов
- Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5
- Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
- Лазер на межподзонных переходах горячих дырок и его применение для исследования полупроводников и наноструктур
- Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Исследование структуры поверхности кремния по оптическому отражению
- Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами