- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2007
Количество страниц:
110
Артикул:
7239 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
- Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
- Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена
- Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5
- Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
- Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии
- Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs
- Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой
- Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии