- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии
- Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62
- Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями
- Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
- Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
- Исследование линейных и нелинейных оптических свойств скандобората церия
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si