- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
- Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
- Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
- Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)
- Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
- Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
- Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса
- Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах
- Механизм релаксационных процессов в поливинилиденфториде