- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7385 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
- Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
- Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
- Исследование влияния структурного совершенства и физико-химических обработок поверхности кремния на характеристики силовых диодов
- Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов
- Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
- Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs
- Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе