- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7321 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
- Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
- Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
- Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты
- Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
- Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
- Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах
- Электрические и оптические свойства пиролитических пленок окислов металлов
- Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV