Ви є тут

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Автор: 

Ивкин Андрей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196812

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
• Низькочастотна діелектрична поляризація кристалів селенідів індію та галію
• Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
• Оптические свойства монокристаллов теллурида цинка, легированных примесями переходных элементов группы железа
• Частотные свойства магнитомягких ферритов с различной микроструктурой и формой
• Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs
• Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
• Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек
• Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром
• Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана