Ви є тут

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Автор: 

Ивкин Андрей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196812

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
• Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
• Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния
• Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок
• Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
• Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов
• Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами
• Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
• Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами
• Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP