Ви є тут

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Автор: 

Ивкин Андрей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196812

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Коллективные явления в суперионных проводниках
• Кинетические и контактные явления в анизотропных и неоднородных полупроводниках
• Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами
• Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности
• Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга
• Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
• Рост и спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов Na0,4 (Y,R)0,6 F22 (R-редкоземельные ионы) в коротковолновом диапазоне длин волн
• Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
• Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов
• Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях