Ви є тут

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Автор: 

Ивкин Андрей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196812

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
• Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
• Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
• Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
• Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
• Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
• Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
• Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
• Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
• Компьютерное моделирование роста наноструктур