Ви є тут

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Автор: 

Ивкин Андрей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196812

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe
• Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах
• Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии
• Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
• Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP
• Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
• Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
• Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
• Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2