Ви є тут

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Автор: 

Ивкин Андрей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196812

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
• Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела
• Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур
• Дихроизм и двулучепереломление растворов красителей, наведенные пикосекундными световыми импульсами, и их использование
• Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях
• Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
• Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
• Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
• Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов