Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ОБОЗНАЧЕНИЯ.
ГЛАВА I. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА ИЭЛЕКГР0ННЫХ ЛОВУШКАХ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПАРАМЕТРЫ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ
1.1. Экситоны, связанные на изоэлектронных
ловушках в полупроводниках. Эксперимент . .
1.2. Экситоны, связанные на изоэлектронных
ловушках в полупроводниках. Теория
1.3. Основные, параметры фосфида галлия и
тврдых растворов на его основе
Вывод ы V . . .
ГЛАВА 2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СОСТОЯНИЯ И ВОЛНОВЫЕ
ФУНКЦИИ ЭКСИТОНОВ, СВЯЗАННЫХ НА ИЗОЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРАХ В МНОГОДОЛИННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ВЫРОЖДЕННЫМИ ЗОНАМИ
2.1. Выбор одночастичного базиса и вывод уравнения Шредингера для связанного
экситона.
2.2. Волновые функции и энергетический спектр связанных экситонов
2.2.1. Волновая функшя связанного экситона в случае ионизованного состояния электрона непрерывный
спектр связанного экситона
2.2.2. Связанные состояния электрона дискретный спектр экситона
2.2.3. Волновая функция электрона, связанного на изоэлектронном центре
в случае вырожденных зон .
Выводы.
ГЛАВА 3. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА ИЭЛЕКГР0ННЫХ
ЦЕНТРАХ В ФОСШДЕ ГАЛЛИЯ
3.1. Классификация состояний экситонов,
связанных на изоэлектронных центрах вОаР
3.2. Изоэлектронный акцепторазот вбаР . . . .
3.2.1. Волновая функция связанного электрона и долиноорбитальное расщепление.
3.2.2. Акцептороподобные состояния экситона, связанного на азоте
3.3. Изоэлектронный донорвисмут в СоР
3.4. Построение гамильтониана экситона
методом инвариантов .
Выводы.
ГЛАВА 4. РАСЧЕТ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ НА СВЯЗАННЫХ
ЭКСИТОНАХ В МНОГОЗОННОЙ МОДЕЛИ
4.1. Оптическое поглощение при переходах в состояния дискретного и непрерывного спектров связанных экситонов первый
порядок теории возмущений
4.2. Оптическое поглощение на связанных экситонах с учетом электронфононного взаимодействия второй порядок теории возмущений.
4.3. Оптическое поглощение на связанных
экситонах в фосфиде галлия .
Выводы.
ГЛАВА 5. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА ИЭЛЕКТР0НН0Й ЛОВУШКЕ АЗОТА, В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ
аХРу .
5.1. Экспериментальная установка и методика
измерения спектров фотоответа полупроводников в области связанных экситонов
5.1.1. Экспериментальная установка
5.1.2. Методика приготовления и характеристики образцов
5.2. Спектральные зависимости фотоответа рппереходов на основе iix, , легированных азотом .
5.3. Двухуровневая модель для экситонов, связанных на азоте в 1xx .
Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ПРИЛОЖЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА