- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
129
Артикул:
137538 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
- Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Природа примесных состояний, образуемых атомами олова и железа в аморфном кремнии и халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков
- Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений
- Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками