- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
129
Артикул:
137538 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Наноразмерные структуры Si/SiO2 и сенсоры на их основе
- Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
- Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами
- Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии : 2D-дырки на поверхности монокристаллического теллура
- Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
- Теория оптических и акустоэлектрических явлений, связанных с аномалиями в пространственной дисперсии, полевой и деформационной зависимостях диэлектрических откликов кристаллов
- Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии
- Низькочастотна діелектрична поляризація кристалів селенідів індію та галію
- Энергетическая структура многоэлектронных атомов
- Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена