- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
129
Артикул:
137538 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Экситоны в низкоразмерных анизотропных структурах и магнитном поле
- Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
- Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур
- Низкотемпературная туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия халькогенидов свинца
- Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
- Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V
- Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5
- Энергетическая структура макромолекул и наноструктур