- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
129
Артикул:
137538 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур
- Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5 : На примере InP
- Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
- Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
- Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра
- Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
- Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
- Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
- Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза