- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
129
Артикул:
137538 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
- Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
- Анализ газочувствительных наноструктур с варьируемым типом и концентрацией адсорбционных центров
- Высокочастотные и магнитоакустические взаимодействия в магнитомягких ферритах с различными формой, размерами и микроструктурой
- Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник
- Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков
- Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями